InAsSb相关论文
InAs1-xSbx属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料，随Sb组分含量的不同，室温下可覆盖3～12μm波长，并且InAsSb材料具有载流子寿命长、吸收系......
红外焦平面探测器的光谱一致性是评价材料制备水平的重要参数之一。探测器材料因制备工艺的不同而存在差异。由于光谱仪光斑尺寸的......
工作在中长波的红外探测器可被广泛应用在空间成像、军事和通信等领域, 锑基InAsSb材料由于其特殊的性质是制作长波非致冷光子探测......
研究提高非制冷型铟砷锑(InAsSb)光子探测器在8~9μm波长的灵敏度。用熔体外延(ME)技术在砷化铟(InAs)衬底上生长了长波长InAsSb厚......
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和......
工作在中波（35μm）的探测器具有广泛的应用。对于快速响应的光子探测器领域,Ⅱ-Ⅵ族的HgCdTe（碲镉汞）器件取得了很多重要成果,目前仍然......
采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备,用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源,三甲基锑和砷烷作为V族源在(100)面GaSb和GaAs单晶衬底......
利用InAs_(0.15)Sb_(0.85)/InSb应变层超晶格(SLS)制造了一种高探测率的红外光电二极管。经表面钝化的器件在波长小于等于10μm时......
用TEM观察了InAsSb/A1Sb/GaAs的结构,分析了AlSb过渡层在InAsSb材料生长中的作用,观察到AlSb内位错沿AlSb/GaAs界面垂直延伸约0.25......
we report nBn photodetectors based on InAs0.91Sb0.09 with a 100％cut-off wavelength of 4.75 μm at 300 K. The bandof an nB......
InAsSb tary alloys can be considered as an altative to HgCdTe for mid-wavelength,as well as long-wavelength infrared app......
InAsSb ternary alloys can be considered as an alternative to HgCdTe for mid-wavelength, as well as long-wa-velength infr......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Growth and characteristics of InAsSb epilayers with a cutoff wavelength of 4.8 μm prepared by one-st
InAsSb epilayers with a cutoff wavelength of 4.8 μm have been successfully grown on InAs substrates by one-step liquid ......
锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率,材料结构稳定、可生产性强,并具备低暗电流和高工作温度(HOT)的优势,符合未来红外探测系......
采用分子束外延(MBE)法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAsSb外延膜。通过引入Al GaSb插层,实现对导电GaSb衬底上InAsSb材料电学性......
Growth and characteristics of InAsSb epilayers with a cutoff wavelength of 4.8 μm prepared by one-st
InAsSb epilayers with a cutoff wavelength of 4.8 μm have been successfully grown on InAs substrates by one-step liquid ......
Growth and characteristics of InAsSb epilayers with a cutoff wavelength of 4.8 μm prepared by one-st
有 4.8 μm 的截止波长的 InAsSb epilayers 被一步舞液体阶段取向附生(LPE ) 成功地在 InAs 底层上种了技术。epilayers 被 X......
we report n Bn photodetectors based on In As0.91 Sb0.09 with a 100% cut-off wavelength of 4.75 μm at 300 K. The band of......
用分子束外延（MBE）方法生长了InAsSb／InSb多量子阱结构，并对其进行250℃、8h的退火。采用X射线光电子能谱（XPS），通过Ar离子刻蚀对样品退火......
用分子束外延（MBE）方法生长了InAsSb／InSb多量子阱结构，并对其进行250℃、8h的退火。采用X射线光电子能谱（XPS），通过Ar离子刻蚀对样品退火......
采用分子束外延（MBE）法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAsSb外延膜。通过引入Al GaSb插层,实现对导电GaSb衬底上InAsSb材料电学性质......
采用分子束外延（MBE）法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAsSb外延膜。通过引入Al GaSb插层,实现对导电GaSb衬底上InAsSb材料电学性质......
用InAs<sub><</sub>sub>1-x</sub>Sb<sub>x</sub>/InSb（x=0.82-0.85）应力层超晶格（SLS＇s）制备了长波红外光电二极管。这些探测器具有的......
利用LP-MOCVD技术，采用两步生长法，在（100）GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman......
利用LP-MOCVD技术，采用两步生长法，在（100）GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman......
文章旨在介绍适应于长波红外焦平面阵列技术发展的红外探测器，由于篇幅的关系，本文着重评述ＩｎＡｓＳｂ应变层超晶格红外探测器和ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阱红外探......
有比 8 m 长的截止波长的 InAs0.052Sb0.948 epilayers 成功地在使用的底层融化的 InAs 上被种取向附生(我) 。扫描在 epilayers ......
据www.techbriefs.com网站报道,美国喷气推进实验室已研制出一种工作温度比现有的InSb基中波红外探测器高的中波红外势垒光电探测......
采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备，用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源，三甲基锑和砷烷作为Ⅴ族源在（100）面GaSb和GaAs单晶衬底上......
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和......
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和......
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有 4.8 m 的截止波长的 n-InAs/p-InAsSb 异质接面被一步舞液体阶段取向附生(LPE ) 成功地种技术。扫描电子显微镜学(SEM ) 图象和......
工作在中、长波红外波段(波长5~12μm)的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。......
为了获得P型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响，用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12μm的P型-InAsSb外延层．用傅里叶......
用熔体外延法(ME)生长出厚度达到100μm的InAsSb外延层,截止波长进入8～12μm波段。测量结果表明,InAsSb材料具有良好的单晶取向和结......
用熔体外延（ME）法在InAs衬底上生长了InAsSb外延层，用扫描电子显微镜（SEM）观察了样品的横截面，并测量出外延层的厚度达到100μm，用X-射线......
采用水平滑移石墨舟液相外延生长技术在n型（100）InAs衬底上生长了InAs0．96Sb0．04薄膜．在1．5～5．5eV光子能量范围采用紫外-可见光椭圆偏振光......
采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比A......
基于nBn结构的InAsSb器件具有扩散电流极限低、造价低廉、容易实现大面阵以及可兼容现有III--V族二极管电路等诸多优点,是小型化、......
InAsxSb1-x薄膜以其结构稳定、高载流子迁移率、小介电常数等优点在中长波红外探测领域具有潜在的应用前景。但由于缺乏晶格匹配的......
采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了高质量的InAsSb材料。分析了InAs/GaSb超晶格红外......
nBn型红外探测器可有效抑制产生-复合电流,进而提高探测器的工作温度。由于制备工艺可移植于Ⅲ/Ⅴ族成熟工艺以及存在晶格完全匹配......
